поръчка_бг

продукти

TO-252 IPD33CN10NG с висококачествен чип транзистор Нова и оригинална цена

Кратко описание:


Подробности за продукта

Продуктови етикети

Атрибути на продукта

ТИП ОПИСАНИЕ
Категория Дискретни полупроводникови продукти

Транзистори – FET, MOSFET – единични

произв Infineon Technologies
Серия OptiMOS™
Пакет Лента и макара (TR)

Рязане на лента (CT)

Digi-Reel®

Състояние на продукта Активен
Тип FET N-канал
технология MOSFET (метален оксид)
Изтичане към източник на напрежение (Vdss) 100 V
Ток – непрекъснат дренаж (Id) при 25°C 27A (Tc)
Задвижващо напрежение (макс. Rds включено, мин. Rds включено) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm при 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V при 29µA
Заряд на вратата (Qg) (макс.) @ Vgs 24 nC при 10 V
Vgs (макс.) ±20V
Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds 1570 pF при 50 V
FET функция -
Разсейване на мощност (макс.) 58W (Tc)
Работна температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж Повърхностен монтаж
Пакет устройства на доставчика PG-TO252-3
Опаковка / Калъф TO-252-3, DPak (2 проводника + разделител), SC-63
Основен номер на продукта IPD33CN10

Докладване на грешка в информацията за продукта

Вижте подобни

Документи и медии

ТИП РЕСУРСИ ВРЪЗКА
Информационни листове IPx3xCN10N G
Други свързани документи Ръководство за номера на части
Представен продукт Системи за обработка на данни
HTML лист с данни IPx3xCN10N G
Симулационни модели MOSFET OptiMOS™ 100V N-канален спайс модел

Екологични и експортни класификации

АТРИБУТ ОПИСАНИЕ
Състояние на RoHS Съвместим с ROHS3
Ниво на чувствителност към влага (MSL) 1 (неограничен)
Състояние на REACH REACH Незасегнати
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Допълнителни ресурси

АТРИБУТ ОПИСАНИЕ
Други имена IPD33CN10NGATMA1-ND

IPD33CN10NGATMA1CT

IPD33CN10NGATMA1TR

SP001127812

IPD33CN10NGATMA1DKR

Стандартен пакет 2500

Транзисторът е полупроводниково устройство, което обикновено се използва в усилватели или електронно управлявани ключове.Транзисторите са основните градивни елементи, които регулират работата на компютри, мобилни телефони и всички други съвременни електронни схеми.

Благодарение на тяхната бърза скорост на реакция и висока точност, транзисторите могат да се използват за голямо разнообразие от цифрови и аналогови функции, включително усилване, превключване, регулатор на напрежение, модулация на сигнала и осцилатор.Транзисторите могат да бъдат пакетирани индивидуално или в много малка площ, която може да побере 100 милиона или повече транзистора като част от интегрална схема.

В сравнение с електронната тръба, транзисторът има много предимства:

1.Компонентът няма консумация

Без значение колко добра е тръбата, тя постепенно ще се влоши поради промени в катодните атоми и хронично изтичане на въздух.По технически причини транзисторите имаха същия проблем, когато бяха направени за първи път.С напредъка в материалите и подобренията в много аспекти транзисторите обикновено издържат 100 до 1000 пъти по-дълго от електронните тръби.

2. Консумира много малко енергия

Това е само една десета или десетки от една от електронните тръби.Не е необходимо да нагрява нишката, за да произвежда свободни електрони като електронната тръба.Транзисторното радио се нуждае само от няколко сухи батерии, за да слуша шест месеца в годината, което е трудно да се направи за ламповото радио.

3. Няма нужда от предварително загряване

Работете веднага щом го включите.Например, транзисторното радио изгасва веднага щом се включи, а транзисторният телевизор създава картина веднага щом се включи.Оборудването с вакуумни тръби не може да направи това.След зареждането изчакайте известно време, за да чуете звука, вижте снимката.Ясно е, че в армията, измерването, записването и т.н., транзисторите са много изгодни.

4. Силен и надежден

100 пъти по-надеждна от електронната тръба, устойчивост на удар, устойчивост на вибрации, което е несравнимо с електронната тръба.В допълнение, размерът на транзистора е само една десета до една стотна от размера на електронната тръба, много малко отделяне на топлина, може да се използва за проектиране на малки, сложни, надеждни вериги.Въпреки че производственият процес на транзистора е прецизен, процесът е прост, което е благоприятно за подобряване на плътността на инсталиране на компонентите.


  • Предишен:
  • Следващия:

  • Напишете вашето съобщение тук и ни го изпратете