Нова оригинална интегрална схема BSP772T IP5306 BSZ040N06LS5 TLE7270-2D IC чип
BSZ040N06LS5
Логическото ниво на мощните MOSFET транзистори OptiMOS™ 5 на Infineon е изключително подходящо за безжично зареждане, адаптер и телеком приложения.Ниският заряд на затвора на устройствата (Q g) намалява загубите при превключване, без да компрометира загубите на проводимост.Подобрените стойности позволяват работа при високи честоти на превключване.Освен това, задвижването на логическо ниво осигурява нисък праг на врататанапрежение на задържане (V GS(th)), което позволява на MOSFET-ите да се управляват при 5V и директно от микроконтролери.
Резюме на характеристиките
Low R DS(on) в малък пакет
Нисък заряд на вратата
По-нисък изходен заряд
Съвместимост на логическо ниво
Ползи
Дизайни с по-висока плътност на мощността
По-висока честота на превключване
Намален брой части са налични навсякъде, където има 5V захранвания
Управляван директно от микроконтролери (бавно превключване)
Намаляване на системните разходи
Параметри
| Параметри | BSZ040N06LS5 |
| Бюджетна цена €/1k | 0,56 |
| Ciss | 2400 pF |
| Кос | 500 pF |
| ID (@25°C) макс | 101 А |
| IDpuls макс | 404 А |
| Монтаж | SMD |
| Работна температура min max | -55 °C 150 °C |
| Ptot макс | 69 W |
| Пакет | PQFN 3,3 x 3,3 |
| Пинов брой | 8 щифта |
| Полярност | N |
| QG (тип при 4,5 V) | 18 nC |
| Qgd | 5,3 nC |
| RDS (включено) (@4,5 V LL) макс | 5,6 mΩ |
| RDS (включен) (@4,5 V) макс | 5,6 mΩ |
| RDS (включено) (@10V) макс | 4 mΩ |
| Rth макс | 1,8 K/W |
| RthJA макс | 62 K/W |
| RthJC макс | 1,8 K/W |
| VDS макс | 60 V |
| VGS(th) min max | 1,7 V 1,1 V 2,3 V |
