Интегрални схеми IRFH5007TRPBF IC чип IRFH5007TRPBF на най-добра цена
Атрибути на продукта
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Категория | Дискретни полупроводникови продукти |
| произв | Infineon Technologies |
| Серия | HEXFET® |
| Пакет | Лента и макара (TR) Рязане на лента (CT) Digi-Reel® |
| Състояние на продукта | Последна покупка |
| Тип FET | N-канал |
| технология | MOSFET (метален оксид) |
| Изтичане към източник на напрежение (Vdss) | 75 V |
| Ток – непрекъснат дренаж (Id) при 25°C | 17A (Ta), 100A (Tc) |
| Задвижващо напрежение (макс. Rds включено, мин. Rds включено) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9mOhm при 50A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V при 150µA |
| Заряд на вратата (Qg) (макс.) @ Vgs | 98 nC при 10 V |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds | 4290 pF при 25 V |
| FET функция | - |
| Разсейване на мощност (макс.) | 3,6 W (Ta), 156 W (Tc) |
| Работна температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтаж | Повърхностен монтаж |
| Пакет устройства на доставчика | 8-PQFN (5×6) |
| Опаковка / Калъф | 8-PowerTDFN |
| Основен номер на продукта | IRFH5007 |
Документи и медии
| ТИП РЕСУРСИ | ВРЪЗКА |
| Информационни листове | IRFH5007PbF |
| Модули за продуктово обучение | Интегрални схеми за високо напрежение (драйвери за HVIC Gate) |
| Информация за околната среда | Съответствие с PQFN 5×6 RoHS |
| Представен продукт | Системи за обработка на данни |
| HTML лист с данни | IRFH5007PbF |
| EDA модели | IRFH5007TRPBF от Ultra Librarian |
| Симулационни модели | IRFH5007PBF Спайс модел |
Екологични и експортни класификации
| АТРИБУТ | ОПИСАНИЕ |
| Състояние на RoHS | Съвместим с ROHS3 |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL) | 1 (неограничен) |
| Състояние на REACH | REACH Незасегнати |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Допълнителни ресурси
| АТРИБУТ | ОПИСАНИЕ |
| Други имена | IRFH5007TRPBF-ND IRFH5007TRPBFCT SP001564166 IRFH5007TRPBFDKR IRFH5007TRPBFTR |
| Стандартен пакет | 4000 |
Транзисторът е полупроводниково устройство, което обикновено се използва в усилватели или електронно управлявани ключове.Транзисторите са основните градивни елементи, които регулират работата на компютри, мобилни телефони и всички други съвременни електронни схеми.
Благодарение на тяхната бърза скорост на реакция и висока точност, транзисторите могат да се използват за голямо разнообразие от цифрови и аналогови функции, включително усилване, превключване, регулатор на напрежение, модулация на сигнала и осцилатор.Транзисторите могат да бъдат пакетирани индивидуално или в много малка площ, която може да побере 100 милиона или повече транзистора като част от интегрална схема.
В сравнение с електронната тръба, транзисторът има много предимства:
1.Компонентът няма консумация
Без значение колко добра е тръбата, тя постепенно ще се влоши поради промени в катодните атоми и хронично изтичане на въздух.По технически причини транзисторите имаха същия проблем, когато бяха направени за първи път.С напредъка в материалите и подобренията в много аспекти транзисторите обикновено издържат 100 до 1000 пъти по-дълго от електронните тръби.
2. Консумира много малко енергия
Това е само една десета или десетки от една от електронните тръби.Не е необходимо да нагрява нишката, за да произвежда свободни електрони като електронната тръба.Транзисторното радио се нуждае само от няколко сухи батерии, за да слуша шест месеца в годината, което е трудно да се направи за ламповото радио.
3. Няма нужда от предварително загряване
Работете веднага щом го включите.Например, транзисторното радио изгасва веднага щом се включи, а транзисторният телевизор създава картина веднага щом се включи.Оборудването с вакуумни тръби не може да направи това.След зареждането изчакайте известно време, за да чуете звука, вижте снимката.Ясно е, че в армията, измерването, записването и т.н., транзисторите са много изгодни.
4. Силен и надежден
100 пъти по-надеждна от електронната тръба, устойчивост на удар, устойчивост на вибрации, което е несравнимо с електронната тръба.В допълнение, размерът на транзистора е само една десета до една стотна от размера на електронната тръба, много малко отделяне на топлина, може да се използва за проектиране на малки, сложни, надеждни вериги.Въпреки че производственият процес на транзистора е прецизен, процесът е прост, което е благоприятно за подобряване на плътността на инсталиране на компонентите.
