AQX IRF7416TRPBF Нова и оригинална интегрална схема IC чип IRF7416TRPBF

Атрибути на продукта

Документи и медии

Екологични и експортни класификации

Допълнителни ресурси

IRF7416

Ползи
Планарна клетъчна структура за широк SOA
Оптимизиран за най-широка наличност от партньори за разпространение
Квалификация на продукта по стандарт JEDEC
Силикон, оптимизиран за приложения, превключващи под <100KHz
Индустриален стандартен захранващ пакет за повърхностен монтаж
Възможност за вълнообразно запояване
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET в SO-8 пакет
Ползи
Съвместим с RoHS
Нисък RDS (включен)
Водещо в индустрията качество
Динамичен dv/dt рейтинг
Бързо превключване
Напълно лавинен
175°C Работна температура
P-канал MOSFET

Транзистор

Транзисторът е aполупроводниково устройствоизползван заусилвамилипревключвателелектрически сигнали имощност.Транзисторът е един от основните градивни елементи на модернотоелектроника.[1]Съставен е отполупроводников материал, обикновено с поне тритерминализа свързване към електронна схема.Аволтажилитекущприложен към една двойка клеми на транзистора, контролира тока през друга двойка клеми.Тъй като контролираната (изходна) мощност може да бъде по-висока от управляващата (входяща) мощност, транзисторът може да усили сигнала.Някои транзистори са опаковани индивидуално, но много повече се намират вградениинтегрални схеми.

австро-унгарски физик Юлий Едгар Лилиенфелдпредложи концепцията за aполеви транзисторпрез 1926 г., но по това време не беше възможно действително да се конструира работещо устройство.[2]Първото работещо устройство, което трябваше да бъде построено, беше aтранзистор с точков контактизобретен през 1947 г. от американски физициДжон БардийниУолтър Братейндокато работи подУилям ШоклиприBell Labs.Тримата споделят 1956 гНобелова награда по физиказа тяхното постижение.[3]Най-широко използваният тип транзистор еметал-оксид-полупроводников полеви транзистор(MOSFET), който е изобретен отМохамед АталаиДауон Кангв Bell Labs през 1959 г.[4][5][6]Транзисторите направиха революция в областта на електрониката и проправиха пътя за по-малки и по-евтинирадиостанции,калкулатори, икомпютри, наред с други неща.

Повечето транзистори са направени от много чистсилиций, и някои отгерманий, но понякога се използват някои други полупроводникови материали.Един транзистор може да има само един вид носители на заряд, в транзистор с полеви ефекти, или може да има два вида носители на заряд вбиполярен преходен транзисторустройства.В сравнение свакуумна тръба, транзисторите обикновено са по-малки и изискват по-малко енергия за работа.Някои вакуумни тръби имат предимства пред транзисторите при много високи работни честоти или високи работни напрежения.Много видове транзистори са направени по стандартизирани спецификации от различни производители.