поръчка_бг

Продукти

  • IPD031N06L3G нови оригинални електронни компоненти ic чип MCU BOM услуга на склад IPD031N06L3G

    IPD031N06L3G нови оригинални електронни компоненти ic чип MCU BOM услуга на склад IPD031N06L3G

    Атрибути на продукта ТИП ОПИСАНИЕ Категория Дискретни полупроводникови продукти Транзистори – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус на продукта Активен FET тип N-канална технология MOSFET (метален оксид) ) Напрежение от източване към източник (Vdss) 60 V Ток – Непрекъснато източване (Id) @ 25°C 100 A (Tc) Задвижващо напрежение (Макс. Rds Вкл., Мин. Rds Вкл.) 4,5 V, 10 V Rds Вкл. (Макс.) @ Id, Vgs 3,1 mOhm @ 100A...
  • IMZA65R072M1H IC чипове Транзистори Електронни компоненти Интегрална схема Кондензатор IMZA65R072M1H

    IMZA65R072M1H IC чипове Транзистори Електронни компоненти Интегрална схема Кондензатор IMZA65R072M1H

    Атрибути на продукта ТИП ОПИСАНИЕ Категория Дискретни полупроводникови продукти Транзистори – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series - Package Tube Статус на продукта Active FET Type - Technology - Current – ​​Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A (Tc) Drive Voltage (Max Rds) On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs(th) (Max) @ Id - Vgs (Max) - FET Характеристика - Разсейване на мощността (Макс.) - Работна температура - Базов продуктов номер IMZA6.. .
  • Списък на спецификациите на офертата IC IDW30C65D2 GSD4E-9333-TR EP1AGX50DF780C6N Интегрална схема

    Списък на спецификациите на офертата IC IDW30C65D2 GSD4E-9333-TR EP1AGX50DF780C6N Интегрална схема

    Атрибути на продукта ТИП ОПИСАНИЕ Категория Дискретни полупроводникови продукти Диоди – Токоизправители – Масиви Производител Infineon Technologies Series Rapid 2 Package Tube Статус на продукта Конфигурация на активен диод 1 двойка Тип диод с общ катод Стандартно напрежение – DC обратно (Vr) (макс.) 650 V ток – средно изправен ( Io) (на диод) 15A напрежение – напред (Vf) (макс.) @ Ако 2,2 V @ 15 A Скорост Бързо възстановяване =< 500ns, > 200mA (Io) Обратно възстановяване...
  • KWM Оригинален нов транзистор BSZ100 PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS Интегрална схема IC чип на склад

    KWM Оригинален нов транзистор BSZ100 PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS Интегрална схема IC чип на склад

    Атрибути на продукта ТИП ОПИСАНИЕ Категория Дискретни полупроводникови продукти Транзистори – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус на продукта Активен FET тип N-канална технология MOSFET (метален оксид) ) Изтичане към източник на напрежение (Vdss) 60 V Ток – Непрекъснато изтичане (Id) @ 25°C 40A (Tc) Задвижващо напрежение (Макс. Rds Вкл., Мин. Rds Вкл.) 6V, 10V Rds Вкл. (Макс.) @ Id, Vgs 10mOhm @ 20A, 10V...
  • AUIRG4PH50S BSZ060NE2LS ISP752RFUMA1 IR3889MTRPBF IC чип Нова оригинална интегрална схема

    AUIRG4PH50S BSZ060NE2LS ISP752RFUMA1 IR3889MTRPBF IC чип Нова оригинална интегрална схема

    Атрибути на продукта ТИП ОПИСАНИЕ Категория Дискретни полупроводникови продукти Транзистори – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус на продукта Активен FET тип N-канална технология MOSFET (метален оксид) ) Изтичане към източник на напрежение (Vdss) 25 V ток – непрекъснато изтичане (Id) @ 25°C 12 A (Ta), 40 A (Tc) Задвижващо напрежение (макс. Rds включено, мин. Rds включено) 4,5 V, 10 V Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 6mOhm...
  • (НАЛИЧНОСТ) BSS138NH6327 нови и оригинални електронни компоненти горещ продукт

    (НАЛИЧНОСТ) BSS138NH6327 нови и оригинални електронни компоненти горещ продукт

    Атрибути на продукта ТИП ОПИСАНИЕ Категория Дискретни полупроводникови продукти Транзистори – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series SIPMOS® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус на продукта Активен FET тип N-канална технология MOSFET (метален оксид) ) Напрежение от източване към източник (Vdss) 60 V Ток – Непрекъснато източване (Id) @ 25°C 230mA (Ta) Задвижващо напрежение (Макс. Rds Вкл., Мин. Rds Вкл.) 4,5 V, 10 V Rds Вкл. (Макс.) @ Id, Vgs 3,5 Ом @ 230mA...
  • Оригинален нов в наличност MOSFET транзистор диоден тиристор SOT-223 BSP125H6327 IC чип електронен компонент

    Оригинален нов в наличност MOSFET транзистор диоден тиристор SOT-223 BSP125H6327 IC чип електронен компонент

    Атрибути на продукта ТИП ОПИСАНИЕ Категория Дискретни полупроводникови продукти Транзистори – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series SIPMOS® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус на продукта Активен FET тип N-канална технология MOSFET (метален оксид) ) Изтичане към източник на напрежение (Vdss) 600 V Ток – Непрекъснато изтичане (Id) @ 25°C 120mA (Ta) Задвижващо напрежение (Макс. Rds Вкл., Мин. Rds Вкл.) 4,5 V, 10 V Rds Вкл. (Макс.) @ Id, Vgs 45Ohm @ 120mA...
  • Чисто нов оригинален MOSFET TDSON-8 BSC0902NSI

    Чисто нов оригинален MOSFET TDSON-8 BSC0902NSI

    Атрибути на продукта ТИП ОПИСАНИЕ Категория Дискретни полупроводникови продукти Транзистори – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус на продукта Активен FET тип N-канална технология MOSFET (метален оксид) ) Изтичане към източник на напрежение (Vdss) 30 V ток – непрекъснато изтичане (Id) @ 25°C 23 A (Ta), 100 A (Tc) Задвижващо напрежение (макс. Rds включено, мин. Rds включено) 4,5 V, 10 V Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 2.8m...
  • Нова в наличност интегрална схема TLE4250-2G IRF7495TRPBF BSC160N10NS3G IPB120P04P4L03 IC чип

    Нова в наличност интегрална схема TLE4250-2G IRF7495TRPBF BSC160N10NS3G IPB120P04P4L03 IC чип

    Атрибути на продукта ТИП ОПИСАНИЕ Категория Дискретни полупроводникови продукти Транзистори – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус на продукта Активен FET тип N-канална технология MOSFET (метален оксид) ) Изтичане към източник на напрежение (Vdss) 100 V ток – непрекъснато източване (Id) @ 25°C 8,8 A (Ta), 42 A (Tc) Задвижващо напрежение (макс. Rds включено, мин. Rds включено) 6 V, 10 V Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 16mOh...
  • Нова и оригинална интегрална схема BSC100N06LS3G

    Нова и оригинална интегрална схема BSC100N06LS3G

    Атрибути на продукта ТИП ОПИСАНИЕ Категория Дискретни полупроводникови продукти Транзистори – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус на продукта Активен FET тип N-канална технология MOSFET (метален оксид) ) Изтичане към източник на напрежение (Vdss) 60 V ток – непрекъснато изтичане (Id) @ 25°C 12 A (Ta), 50 A (Tc) Задвижващо напрежение (максимално Rds включено, мин. Rds включено) 4,5 V, 10 V Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 10mOh...
  • BSC070N10NS3G IPD50P04P4L11 SLM9670AQ20FW1311XTMA1 BTS3125EJ Ic чип Оригинален електронен компонент

    BSC070N10NS3G IPD50P04P4L11 SLM9670AQ20FW1311XTMA1 BTS3125EJ Ic чип Оригинален електронен компонент

    Атрибути на продукта ТИП ОПИСАНИЕ Категория Дискретни полупроводникови продукти Транзистори – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус на продукта Активен FET тип N-канална технология MOSFET (метален оксид) ) Изтичане към източник на напрежение (Vdss) 100 V Ток – Непрекъснато изтичане (Id) @ 25°C 90A (Tc) Задвижващо напрежение (Макс. Rds Вкл., Мин. Rds Вкл.) 6V, 10V Rds Вкл. (Макс.) @ Id, Vgs 7mOhm @ 50A, 10V...
  • AQX BSC060N10NS3G Нова и оригинална интегрална схема ic чип BSC060N10NS3G Атрибути на продукта

    AQX BSC060N10NS3G Нова и оригинална интегрална схема ic чип BSC060N10NS3G Атрибути на продукта

    Атрибути на продукта ТИП ОПИСАНИЕ Категория Дискретни полупроводникови продукти Транзистори – FETs, MOSFETs – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус на продукта Активен FET тип N-канална технология MOSFET (метален оксид) ) Изтичане към източник на напрежение (Vdss) 100 V ток – непрекъснато изтичане (Id) @ 25°C 14,9 A (Ta), 90 A (Tc) Задвижващо напрежение (макс. Rds включено, мин. Rds включено) 6 V, 10 V Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 6mOh...