Чисто нова интегрална схема IPD135N08N3G
Атрибути на продукта
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Категория | Дискретни полупроводникови продукти |
| произв | Infineon Technologies |
| Серия | OptiMOS™ |
| Пакет | Лента и макара (TR) |
| Състояние на продукта | Остаряло |
| Тип FET | N-канал |
| технология | MOSFET (метален оксид) |
| Изтичане към източник на напрежение (Vdss) | 80 V |
| Ток – непрекъснат дренаж (Id) при 25°C | 45A (Tc) |
| Задвижващо напрежение (макс. Rds включено, мин. Rds включено) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 45A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3,5 V при 33 µA |
| Заряд на вратата (Qg) (макс.) @ Vgs | 25 nC при 10 V |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Входен капацитет (Ciss) (макс.) @ Vds | 1730 pF при 40 V |
| FET функция | - |
| Разсейване на мощност (макс.) | 79W (Tc) |
| Работна температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтаж | Повърхностен монтаж |
| Пакет устройства на доставчика | PG-TO252-3 |
| Опаковка / Калъф | TO-252-3, DPak (2 проводника + разделител), SC-63 |
| Основен номер на продукта | IPD135N |
Документи и медии
| ТИП РЕСУРСИ | ВРЪЗКА |
| Информационни листове | IPD135N08N3G |
| Други свързани документи | Ръководство за номера на части |
| Представен продукт | Системи за обработка на данни |
| HTML лист с данни | IPD135N08N3G |
Екологични и експортни класификации
| АТРИБУТ | ОПИСАНИЕ |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL) | 1 (неограничен) |
| Състояние на REACH | REACH Незасегнати |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Допълнителни ресурси
| АТРИБУТ | ОПИСАНИЕ |
| Други имена | SP000454266 IPD135N08N3GBTMA1TR IPD135N08N3 G IPD135N08N3 G-ND |
| Стандартен пакет | 2500 |
Транзисторът е полупроводниково устройство, което обикновено се използва в усилватели или електронно управлявани ключове.Транзисторите са основните градивни елементи, които регулират работата на компютри, мобилни телефони и всички други съвременни електронни схеми.
Благодарение на тяхната бърза скорост на реакция и висока точност, транзисторите могат да се използват за голямо разнообразие от цифрови и аналогови функции, включително усилване, превключване, регулатор на напрежение, модулация на сигнала и осцилатор.Транзисторите могат да бъдат пакетирани индивидуално или в много малка площ, която може да побере 100 милиона или повече транзистора като част от интегрална схема.
В сравнение с електронната тръба, транзисторът има много предимства:
Компонентът няма консумация
Без значение колко добра е тръбата, тя постепенно ще се влоши поради промени в катодните атоми и хронично изтичане на въздух.По технически причини транзисторите имаха същия проблем, когато бяха направени за първи път.С напредъка в материалите и подобренията в много аспекти транзисторите обикновено издържат 100 до 1000 пъти по-дълго от електронните тръби.
Консумират много малко енергия
Това е само една десета или десетки от една от електронните тръби.Не е необходимо да нагрява нишката, за да произвежда свободни електрони като електронната тръба.Транзисторното радио се нуждае само от няколко сухи батерии, за да слуша шест месеца в годината, което е трудно да се направи за ламповото радио.
Няма нужда от предварително загряване
Работете веднага щом го включите.Например, транзисторното радио изгасва веднага щом се включи, а транзисторният телевизор създава картина веднага щом се включи.Оборудването с вакуумни тръби не може да направи това.След зареждането изчакайте известно време, за да чуете звука, вижте снимката.Ясно е, че в армията, измерването, записването и т.н., транзисторите са много изгодни.
Здрав и надежден
100 пъти по-надеждна от електронната тръба, устойчивост на удар, устойчивост на вибрации, което е несравнимо с електронната тръба.В допълнение, размерът на транзистора е само една десета до една стотна от размера на електронната тръба, много малко отделяне на топлина, може да се използва за проектиране на малки, сложни, надеждни вериги.Въпреки че производственият процес на транзистора е прецизен, процесът е прост, което е благоприятно за подобряване на плътността на инсталиране на компонентите.
